@phdthesis{nataliaseoane2007optimizacion, title = {Optimizaci\'{o}n de un simulador 3D paralelo aplicado al estudio de fluctuaciones de par\'{a}metros intr\'{i}nsecos en dispositivos {HEMT}}, year = {2007}, abstract = {Los dispositivos semiconductores est\'{a}n siendo escalados a dimensiones del orden de los nan\'{o}metros con el objetivo de mejorar cada vez m\'{a}s su rendimiento. El escalado tan dr\'{a}stico de los dispositivos aumenta la importancia de determinadas fuentes de fluctuaciones relacionadas con la naturaleza atom\'{i}stica de la carga y la materia‚ que se convierten en factores determinantes de la fiabilidad y el rendimiento de los dispositivos‚ y por lo tanto de los circuitos fabricados con ellos. En el pasado‚ el desajuste en las curvas caracter\'{i}sticas de los transistores estaba principalmente asociado con variaciones en los par\'{a}metros de fabricaci\'{o}n‚ lo que generaba variaciones macrosc\'{o}picas en el grosor de las capas‚ en la geometr\'{i}a y en el dopado. En cambio‚ las fuentes de fluctuaciones que cobran importancia con la reducci\'{o}n del tama\~{n}o de los dispositivos son independientes de los procesos litogr\'{a}ficos y no pueden ser eliminadas a trav\'{e}s de mejoras en el proceso de fabricaci\'{o}n. As\'{i} que‚ mientras que en las simulaciones num\'{e}ricas convencionales los dispositivos se trataban como dispositivos perfectos‚ con interfaces y fronteras suaves y distribuciones continuas de dopado‚ ahora ya no ser\'{a} posible considerar un \'{u}nico dispositivo perfecto sino que ser\'{a} necesario simular un conjunto de transistores diferentes a nivel microsc\'{o}pico‚ puesto que‚ si se considera un conjunto de dispositivos‚ la inclusi\'{o}n de diversos tipos de fluctuaciones de par\'{a}metros intr\'{i}nsecos provocar\'{a} variaciones estad\'{i}sticas entre ellos. Las fuentes de fluctuaciones de par\'{a}metros intr\'{i}nsecos que afectan a los dispositivos son de naturaleza tridimensional‚ por lo que‚ para capturar correctamente los efectos que provocan es necesario realizar simulaciones 3D.}, author = {Natalia Seoane Iglesias} }