Scaling/LER study of Si GAA nanowire FET using 3D finite element Monte Carlo simulations

TítuloScaling/LER study of Si GAA nanowire FET using 3D finite element Monte Carlo simulations
AutoresMuhammad A. Elmessary , Daniel Nagy, Manuel Aldegunde, Natalia Seoane, Guillermo Indalecio, Jari Lindberg, Wulf Dettmer, Djordje Peric ́, Antonio J. García-Loureiro, Karol Kalna
TipoArtículo de revista
Fonte Solid-state Electronics, PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD , No. 128, pp. 17-24 , 2017.
ISSN0038-1101
DOI10.1016/j.sse.2016.10.018