MOSITO-ASD: Desenvolvemento de ferramentas para a modelaxe e simulación de dispositivos semiconductores avanzados: aplicación ao estudo de flutuacións

MOSITO-ASD: Desenvolvemento de ferramentas para a modelaxe e simulación de dispositivos semiconductores avanzados: aplicación ao estudo de flutuacións

Descrición

Desarrollo de herramientas de simulación aplicado al estudio de fluctuaciones y variaciones de material en MOSFET avanzado.

Obxectivos

Los objetivos del proyecto se dividen en cuatro tareas principales:

  1. Simulación de dispositivos basados en semiconductores ferromagnéticos
  2. Simulación de dispositivos de silicio y GaN utilizando el método Monte Carlo
  3. Simulación paralela tridimensional utilizando los modelos Drift-Diffusion (DDM) y Monte Carlo con correcciones
  4. Estudio de la influencia de las fluctuaciones intrínsecas de parámetros en el rendimiento de dispositivos

Investigadores

    • Investigadores externos
    • Manuel Antonio Aldegunde Martínez
    • Karol Kalna
    • Gillian A. Gehring